To mi taky nějak uniklo, že je to na unipolar. To schema vypadá na bipolar. V podstatě se to může hřát ze 3 důvodů, tak je vezmi ylučovací metodou:
1. přetížené vnitřní diody - zkus nějaké rychlé paralelně
2. nedostatečné buzení - tranzistory se neotevřou úplně nebo dost rychle - jukni na gate osciloskopem jak vypadaj budící pulsy, ideálně dvoukanále, jeden kanál napěťově proti zemi, druhý proudově přes malý seriově vložený snímací rezistor
3. vazbí to a zakmitává - to se blbě hledá, nejrychlejší je asi zkusit jinak udělat desku
diody na motoru
SABLE-2015
Já bych to viděl, že přeci jen máš problém se zákmity (nebo rychlostí) při otevírání/zavírání pro indukční zátěž. Zkus porovnat (osciloskop) průběhy Ug a to, co se děje ve vinutí (proud).
Možná by Ti pomohlo Design And Application Guide For High Speed MOSFET Gate Drive Circuits (TI). Například je tam popis týkající se toho obvyklého sériového rezistoru v gate.
A tohle vlákno na webu pminmo.com (Tvůj odkaz na schéma) jsi četl?
HTH,
H.
Možná by Ti pomohlo Design And Application Guide For High Speed MOSFET Gate Drive Circuits (TI). Například je tam popis týkající se toho obvyklého sériového rezistoru v gate.
A tohle vlákno na webu pminmo.com (Tvůj odkaz na schéma) jsi četl?
HTH,
H.
Myslím, že HonzaCh tvůj problém vystihl nejlépe a v tom doporučeném .pdf to je podrobně rozebráno. Takže:
Ty tranzistory jsou robustní a celkem fajn v nich výkonově problém není.
Ta parazitní dioda co je uvnitř toho tranzistoru svoji práci při těchto nízkých napětí taky odvede. Externí diody zde konkrétně nemají smysl.
Tvůj problém spočívá v tom, že dotyčný tvůrce toho zapojení absolutně podcenil náležitosti spínání induktivní zátěže. Při spínání cívky hraje zásadní roli rychlostí změny napětí = zap / vyp. tranzistoru, čím rychleji se bude tvůj tranzistor zap/vyp tím budeš mít mnohem větší problém se špičkami napětí ale i proudu indukovanými v cívce motoru, které zatěžují jak tranzistor tak zároveň i jeho parazitní diodu (u MOSFETU, IGBT parazitní diodu nemá). Princip řešení spočívá tedy v úmyslném zpomalení rychlosti spínaní tranzistoru a toto je nutné provést vždy!!!
Rychlost sepnutí a rozepnutí tranzistoru nejvíce ovlivňuje rychlost nabití parazitní kapacity Cgs (gate-source) v MOSFET tranzistoru (tahle kapacita má na to největší vliv, samozřejmě jsou tam i další dvě kapacity, avšak již skoro nepodstatné )
Nejjednodušší a naprosto vyhovující řešení je ono vložení resistoru typ. 33 - 100ohm mezi budič a gate (tedy konkrétně u tebe určitě vlož mezi to hradlo 74HC08 a Gate transistoru resistor 100Ohmů) a měl bys mít po problémech.
Ty tranzistory jsou robustní a celkem fajn v nich výkonově problém není.
Ta parazitní dioda co je uvnitř toho tranzistoru svoji práci při těchto nízkých napětí taky odvede. Externí diody zde konkrétně nemají smysl.
Tvůj problém spočívá v tom, že dotyčný tvůrce toho zapojení absolutně podcenil náležitosti spínání induktivní zátěže. Při spínání cívky hraje zásadní roli rychlostí změny napětí = zap / vyp. tranzistoru, čím rychleji se bude tvůj tranzistor zap/vyp tím budeš mít mnohem větší problém se špičkami napětí ale i proudu indukovanými v cívce motoru, které zatěžují jak tranzistor tak zároveň i jeho parazitní diodu (u MOSFETU, IGBT parazitní diodu nemá). Princip řešení spočívá tedy v úmyslném zpomalení rychlosti spínaní tranzistoru a toto je nutné provést vždy!!!
Rychlost sepnutí a rozepnutí tranzistoru nejvíce ovlivňuje rychlost nabití parazitní kapacity Cgs (gate-source) v MOSFET tranzistoru (tahle kapacita má na to největší vliv, samozřejmě jsou tam i další dvě kapacity, avšak již skoro nepodstatné )
Nejjednodušší a naprosto vyhovující řešení je ono vložení resistoru typ. 33 - 100ohm mezi budič a gate (tedy konkrétně u tebe určitě vlož mezi to hradlo 74HC08 a Gate transistoru resistor 100Ohmů) a měl bys mít po problémech.
Myslim, ze hlavni problem je to napeti po rozpojeni. FET se dostane do avalanche modu(parazitni dioda se chova jako zener), tim omezi napeti DS ale ta energie se projevi jeho teplotou. Pro FET by tento typ provozu nemel byt problem (jen zkontrolovat, ze energie pulzu je dost mala. Tranzistor snese 11mJ a 25A).
Bohuzel je toto chovani presne to, co potrebujes. Pokud tam pridas diodu, tak bude proud civkou klesat prilis pomalu, takze budou dost omezene otacky motoru. Muzes tam dat zenerku, ale je to celkem k nicemu - jen soucastka navic a odvadeni tepla z jineho mista.
Takze FETy na chladic je asi jedine rozumne reseni.
Trosku se to resi zde: http://www.dalton.ax/stepper/" onclick="window.open(this.href);return false;
Bohuzel je toto chovani presne to, co potrebujes. Pokud tam pridas diodu, tak bude proud civkou klesat prilis pomalu, takze budou dost omezene otacky motoru. Muzes tam dat zenerku, ale je to celkem k nicemu - jen soucastka navic a odvadeni tepla z jineho mista.
Takze FETy na chladic je asi jedine rozumne reseni.
Trosku se to resi zde: http://www.dalton.ax/stepper/" onclick="window.open(this.href);return false;
po posledních experimentech jsem zjistil že dioda zapojená na cívky motoru sice perfektně odstraní napětové
špičky na FETU a jeho přehřívání ,nicméně pak je KM od určitých otáček nepoužitelný, takže tudy cesta nevedla.
Odpor v G tranzistoru toby mě nikdy nenapadlo vždy jsem si myslel že je důležité
TR otevírat a zavírat co nejrychleji . no mám další námět k pokusům o výsledku dám vědět
špičky na FETU a jeho přehřívání ,nicméně pak je KM od určitých otáček nepoužitelný, takže tudy cesta nevedla.
Odpor v G tranzistoru toby mě nikdy nenapadlo vždy jsem si myslel že je důležité
TR otevírat a zavírat co nejrychleji . no mám další námět k pokusům o výsledku dám vědět
Zkus zvětšit C8 osc. na vývodu 16 u L297. Takto zapojené Gate na výstupu TTL švábu ti při vysoké frekvenci asi špatně otevírá. Někde se mi tu válí jeden driver, amatérský, který umí dávat do motoru 4A a to úpně bez chladičů a fety jsou vlažný. Jenže Gate jsou krmený z H-můstku s bipolárními trandy. Ono u té vysoké frekvence a kapacitě Gate tam dokážou téci veliké proudy. Strmost nástupné a sestupné hrany určuje jestli ten fet jede částečně v lineáru a tím se ohřívá.
Toto je můj názor na věc dle přiloženého schematu.
Toto je můj názor na věc dle přiloženého schematu.
bednar.dk@seznam.cz
SolidWorks 2011
Zakázková výroba jednoúčelových strojů
konstrukce strojů, automatizace,
http://www.indops.cz" onclick="window.open(this.href);return false;
SolidWorks 2011
Zakázková výroba jednoúčelových strojů
konstrukce strojů, automatizace,
http://www.indops.cz" onclick="window.open(this.href);return false;
Tak jsem jeste trosku googlilsra.jos píše:po posledních experimentech jsem zjistil že dioda zapojená na cívky motoru sice perfektně odstraní napětové
špičky na FETU a jeho přehřívání ,nicméně pak je KM od určitých otáček nepoužitelný, takže tudy cesta nevedla.
Motor je chova jako transformator, takze pri rozpojeni ti na rozpojene vetvi pujde napeti nahoru, na druhe k nule. Kdyz se dostane kousek pod nulu, tak ho svede body dioda FETu. A tim se omezi i kladne napeti na druhe vetvi.
Z toho vyplyva, ze pokud je napajeci napeti vyssi nez polovina Vgs tranzistoru (+ ubytky na diodach), tak se ti energie z vinuti bude palit v tranzistoru (avalance mod) misto aby sla zpet do napajeni druhou polovinou vinuti.
Navic je indukcnost motoru a kapacita FETu chova jako LRC obvod, takze se to pri rozepnuti rozkmita, takze Vgs musi byt jeste vyssi, jinak zas tranzistor zacne vest. Kdyz to simuluju ve PSpice, tak jsou tyhle kmity dost brutalni, ale to je asi castecne zpusobene tim, ze model zas tak moc neodpovida skutecnosti.
Takze pokud napajis vic nez cca 30V tak mas problem. A mozna i drive.
Dalsi spicka vznikne tim, ze vinuti nema dokonalou vazbu (leakage inductance). Tuhle energii bud spalis v tanzistoru, nebo by ji slo pres 4 diody spalit v zenerce, ktera bude mit ne neco vyssi napeti nez dvojnasobek napajeciho (a stale min nez Vgs tranzistoru). Opet se asi negativne projevi kmitani RLC.
Resi se to v tomto dokumentu: http://www.silabs.com/Support%20Documen ... /an155.pdf" onclick="window.open(this.href);return false;
Aspon 10R do gate je dobre dat. Bez odporu se muze parazitnimi vazbami dostat FET do rezimu, kdy osciluje. Videl jsem to na jedne jednostranne desce, FET spinal elektricky zamek, draha od gate byla dost dlouha a odpor daleko. Pri urcitem napeti (myslim ze pri rozepinani) zacal FET kmitat asi na 50MHz a trvalo asi 2ms nez se mimo tento rezim dostal. Zivotnost byla jen nekolik tisic sepnuti, pak se prorazil gate.Odpor v G tranzistoru toby mě nikdy nenapadlo vždy jsem si myslel že je důležité
TR otevírat a zavírat co nejrychleji . no mám další námět k pokusům o výsledku dám vědět